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電源電路堪稱電子設備的核心命脈，而其中開關電源憑借其高效、緊湊與優異的適配性，已成為當前電源方案的主流選擇。在此背景下，如何合理選擇開關電源中的濾波電容，成為影響整機性能的關鍵一環。多層瓷介電容器（MLCC）以其高比容、高性能、高可靠性及低ESR等優勢，正日益凸顯其在開關電源中不可或缺的地位——無論是在輸入與輸出端的濾波環節，還是在諧振、緩沖等關鍵電路中，MLCC都發揮著至關重要的作用，成為提升電源系統效能與穩定性的重要支撐。例：如圖所示（圖1），在設計一個開關電源電路時，需要用到電容器作為濾波電容使用，C1為輸入濾波電容器，C2為輸出濾波電容器，對于高頻開關電源，C1和C2都可采用多層瓷介電容器，構成全瓷型開關電源。圖1那么，在開關電源電路中如何選用多層瓷介電容器才能得到最佳濾波效果？首先要明確濾除的源（信號）的頻率（頻譜）分布，最好知道能量分布情況（圖2）。圖2其次要了解多層瓷介電容器的阻抗頻率特性（圖3）。?  在阻抗頻率特性曲線中，阻抗最低點的頻率是電容器的自諧振頻率?0；?       當工作頻率低于?0時，電容器呈容性；?       當工作頻率等于?0時，電容器呈阻性，并且此時的阻抗最小，僅與ESR相關；?       當工作頻率大于?0時，電容器呈感性。由于電容器在自諧振頻率?0時阻抗值最小，因此選擇“自諧振”頻率越接近噪聲頻率的電容器其濾波效果越好。圖3一般情況下噪聲的頻譜特性都較為復雜，能量分布不均，一般低頻較大、高頻較小。為到達最佳的濾波效果，可采用多只不同容量的電容并聯（圖4）。但在并聯應用時一定要注意反諧振現象。圖4反諧振是發生在兩個電容器間的自諧振頻率不同時的一種現象，并聯諧振發生在其中一個電容器的感性區以及另一個電容器的容性區，在這個頻段造成總的阻抗增加（圖5）。因此，插入損耗在出現反諧振的地方會變小。圖5消除反諧振主要有以下兩種方法：?  在并聯電容器中間加入鐵氧體磁珠；?  使用低ESL、低ESR的電容器，比如三端電容器。 那么，對于開關電源輸出濾波電容，如何計算？開關電源相對于線性電源，工作頻率更高，功率更大，結構更復雜，濾波范圍主要是電源的開關頻率及高次諧波（圖6）。圖6濾波電容需滿足以下四點：?  滿足可靠性設計要求；?  滿足電源輸出電壓對紋波的要求；?  滿足電源輸出電壓對噪聲的要求；?  自發熱溫升滿足設計要求。輸出濾波電容Cout的最小電容量可根據加載到輸出電容器上的電流變化量△I、穩態電容充電時間ton和技術指標要求的基波紋波電壓峰峰值△V來計算（圖7）。其中△I與電源拓撲結構、扼流圈、變壓器參數、電流系數和輸出電流額定值有關。電容量選型時還需考慮頻率、直流偏壓、工作溫度、長時間工作對電容值的影響。圖7除此之外，電容器的寄生參數ESR、ESL也將引起電壓尖峰或電流尖峰，這些尖峰一般疊加在基波紋波上，表現為與基波紋波同步，此尖峰的峰峰值成為開關電源輸出電壓噪聲。因此需要計算輸出電容器的ESR和ESL最大值，具體方法如下：輸出濾波電容ESR的最大值可根據開關電源輸出電壓噪聲△VESR和加載到輸出電容器上的電流變化量△I來計算(圖8)。電容器ESR選型時還應注意頻率、工作溫度、引入分布電阻、長時間工作和儲存、自發熱溫升對ESR的影響，同時考慮設計冗余性；圖8輸出濾波電容ESL的最大值可根據輸出電壓噪聲要求△VESL、加載到輸出電容器上的電流變化量△I和穩態電容充電時間ton來計算(圖9)。電容器ESL選型時還應注意頻率、工作溫度、引入分布電感、長時間工作和儲存對ESL的影響，同時考慮設計冗余性；圖9開關電源輸出電壓紋波噪聲峰峰值VP-P包括電容充、放電引起的電壓波動△V、脈動電流在電容ESR（包含分布電阻）引起的輸出電壓波動△VESR、脈動電流在電容的ESL（包含分布電感）引起的輸出電壓波動△VESL(圖10)；圖10在實際選擇應用中，大部分情況單只電容器可能無法滿足上述設計要求，可以選擇多只電容器并聯或設計多級濾波的方法來達到設計指標要求。最后總結一下：若要獲得較好的濾波效果需明確要濾除的源的頻率分布、了解多層瓷介電容器的阻抗頻率特性，并聯電容設計需防止反諧振現象

七十六載砥礪行，盛世華章日月新萬里河山披錦繡，千秋偉業耀古今 鴻遠電子秉承實業報國的初心與使命與時代同頻，與祖國共進  在鴻遠研發室里閃耀的，是創新的星火每一次技術突破，都是對品質的追求生產線上躍動的，是奮斗的脈搏每一次產品打磨，都是對匠心的傳承市場前沿奔走的，是擔當的身影每一次需求響應，都是對承諾的恪守 從制造到智造，從堅守到突破只要是國家所需便是我們心之所向、行之所往！  致敬偉大時代，感恩腳下熱土我們愿傾盡全部智慧與汗水為中華民族偉大復興貢獻力量！ 值此共和國76華誕全體鴻遠人謹以拳拳赤子之心，祝福祖國：九州安泰，繁榮永固國運恒昌，盛世長虹  

9月19日下午，由北京市工商聯、通州區人民政府聯合舉辦的2025北京民營企業百強發布會于北京國際財富中心紫金廳盛大啟幕。此次發布會旨在深入貫徹落實習近平總書記在民營企業座談會上的重要講話精神，助推首都民營經濟高質量發展。全國工商聯、北京市委統戰部、北京市工商聯、通州區政府相關領導，以及業界專家、入圍企業代表齊聚一堂，共同見證這一標志著北京民營經濟高質量發展的重要時刻。會上，備受矚目的“2025北京民營企業百強”、“2025北京民營企業科技創新百強”、“2025北京民營企業文化產業百強”、“2025北京民營企業專精特新百強”榜單，以及“2025北京民營企業優秀投資案例”、“2025北京民營企業社會責任優秀案例”名單正式發布。鴻遠電子憑借在市場表現、技術創新與運營實力上構筑的綜合競爭力，成功榮登“北京民營企業專精特新百強”榜單，并一舉斬獲第四名，成為首都民營經濟高質量發展的典型代表。  公司董事會秘書、財務總監李永強代表公司參加發布會，并上臺領受榮譽牌匾。“北京民營企業專精特新百強”是今年新設立的獎項，以北京市“專精特新”企業作為參評范圍，以企業2024年度經營情況、產業發展定位、從事行業年限、研發創新能力等為核心指標，同時綜合考量企業依法合規經營、誠實守信等方面的表現，根據對核心指標與輔助指標的量化賦值，最終確定入圍企業名單。在此次評選中，鴻遠電子憑借在專業領域的深厚沉淀榮登榜單前列，這份榮譽不僅是對企業過往堅守實業發展、堅持科技創新的高度認可，更堅定了企業深耕主業、追求卓越的信心。展望未來，鴻遠電子將繼續牢記“實業報國”的初心使命，堅定地向“新”而行、向“高”攀登，在推動行業進步、助力首都經濟社會發展的進程中，持續貢獻更多力量。

一、產品簡介硅電容器（Silicon Capacitors）是一種基于半導體制造工藝，融合了MOS工藝與MEMS技術，通過微納米級結構設計制造的電子元件，它突破了傳統MLCC和SLCC的性能邊界，為射頻微波電路、高性能數字IC、精密模擬電路等對電子元器件性能、穩定性和集成度要求極高的應用場景提供了新的電容解決方案。硅電容按內部結構特點可分為2D硅電容器和3D硅電容器。2D硅電容器是一種以高摻雜硅作為電極和基底，通過化學氣相沉積或熱氧化在其表面生成介質層的電容器。3D硅電容器是在2D硅電容器基礎上，為了突破二維平面限制、追求更高容量密度而發展起來的具備特殊三維結構的產品。通過利用半導體微加工技術（特別是深硅刻蝕等MEMS技術）在硅襯底上制造出三維立體結構，從而增加介質層的有效面積來顯著提升單位面積內的電容量。二、產品特點與傳統電容器（如MLCC、鉭電容）相比，硅電容具有以下顯著優點：?  超高精度：介質層是通過CVD或熱生長形成的，厚度和成分非常均勻，電容值由面積和介質厚度決定，因此電容器的容值偏差可以做到非常小（可達±0.1%或更高）。?  高溫度穩定性：硅電容產品采用氮化硅或二氧化硅作為介質材料，在-55℃～150℃的溫度范圍內，溫度系數僅為±100ppm/℃。?  優異的高頻特性：硅電容使用的介質材料和結構特點，使其具有很低的等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL），其在很寬的頻率范圍內保持容量的穩定性。 ?  高長期可靠性：硅電容采用半導體薄膜工藝，可保證介質致密性與均勻性，電容器長期可靠性、批次一致性優異。?  高容量密度：3D硅電容通過在垂直方向上構建三維結構（如深溝槽等），極大地增加電極的有效面積，單位面積電容量較2D硅電容器可提升10～100倍，實現進一步小型化的同時保留了上述高精度、高穩定性、優異的高頻性能和高穩定性的特點。三、應用領域?  高端通信設備：5G基站、射頻功放、光模塊、網絡設備等中的射頻電路和高速數字處理單元。?  汽車電子：電動汽車和智能駕駛系統，如發動機控制單元、車載信息娛樂系統、高級駕駛輔助系統（ADAS）、激光雷達（LiDAR） 等對溫度和可靠性要求高的場合。?  工業與醫療電子：工業自動化控制系統、醫療設備（特別是植入式醫療設備），這些應用對元件的長期穩定性和可靠性有極致要求。?  航空航天與國防：用于航空電子系統、飛機發動機控制等對溫度穩定性要求較高的電路中。四、產品結構和電極形式公司硅電容分為2D硅電容和3D硅電容，采用在二維平面結構或具有溝槽結構的三維立體結構上沉積介質材料，并覆蓋金電極作為引出端，形成可金絲鍵合的微組裝用硅電容或表面貼裝（SMT）用硅電容。1、硅電容器內部結構 2、2D硅電容產品電極形式 3、3D硅電容產品電極形式五、產品典型容值范圍1、2D硅電容典型容值范圍產品系列尺寸（mm）容量（pF）122334710022047010001500D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270G系列0.254*0.7620.508*1.2700.762*2.0321.016*2.0321.270*2.0322、3D硅電容典型容值范圍產品系列尺寸（mm）容量（pF）100022004700100002200047000100000D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270H系列0.400*0.2000.600*0.3001.000*0.5001.600*0.8002.000*1.250六、質量保證基于硅電容產品特點，公司結合多年電容器開發、供貨經驗，制定了一整套質量保證方案。包括其介質層的質量評估、產品一致性評估、產品測試分選、壽命評估等。在生產、供貨過程中，主要開展的檢驗項目如下：檢驗階段檢驗項目主要項目產品開發階段基礎性能評估容量、損耗角正切、耐壓等結構分析膜層結構、膜層致密性等可靠性評估溫度沖擊、穩態濕熱、耐焊接熱、靜電放電、高溫壽命生產過程結構分析膜層結構電性能測試分選容量、損耗角正切、耐壓等外觀測試分選表面缺陷，邊緣缺陷等七、產品安裝方式硅電容適配打線和SMT貼片安裝工藝，可與各類半導體器件良好兼容，安裝示意圖如下。八、小結硅電容器并非要取代傳統的MLCC，而是作為一種高性能、高穩定性電容器的補充技術，在特定的高端應用領域，尤其是需要與半導體芯片集成的場景中，發揮著重要作用。公司深耕電容領域數十年，對電容產品有著深入的理解，公司擁有完善的電容制造以及可靠性檢驗設備和資質。公司基于對介電材料的認識和電容器應用的積累，開發了系列化的硅電容產品，為客戶在高頻、高穩定性電路領域應用提供更優的產品解決方案。 

2025年9月3日上午9時，中國人民抗日戰爭暨世界反法西斯戰爭勝利80周年紀念大會隆重舉行。中共中央總書記、國家主席、中央軍委主席習近平發表重要講話，深切回顧歷史、致敬英烈，宣示和平決心、凝聚奮進力量，在全國人民心中激起強烈共鳴。 閱兵揚威 雄獅亮劍在萬眾矚目的閱兵式上，習近平總書記乘檢閱車沿長安街前行，檢閱受閱部隊，并向官兵致以“同志們好!”、“同志們辛苦了!”的親切問候，飽含了對廣大官兵的深情關懷與對人民軍隊的高度肯定。分列式中，一支支威武之師步伐鏗鏘、氣勢如虹，每一步都踏在民族復興的堅定節拍上；一批批自主研發的新型裝備依次亮相，展現出國防和軍隊現代化建設的重大成就，每一件都彰顯著祖國強大的硬核實力。 盛典在目 榮光于心在這莊嚴的歷史時刻，鴻遠電子副董事長鄭小丹榮幸受邀到現場觀禮。這份殊榮，不僅屬于她個人，更體現了黨和國家對鴻遠電子長期以來堅守實業、深耕國防建設的充分肯定，這也令公司全體員工倍感振奮與鼓舞。今天，公司組織全國各地鴻遠人同步觀看大會直播。在北京總部，公司董事長及各級領導干部、黨員群眾、員工代表齊聚一堂，共同觀看。直播正式開始前，鄭紅董事長進行動員講話，他請全體員工務必銘記歷史，從歷史中汲取奮進力量。同時他認為，此次閱兵是中國向全世界作出的莊嚴宣告，在中國共產黨的領導下，中國人民實現了從站起來到強起來的偉大跨越，彰顯出全國人民捍衛國家主權、維護國家利益與尊嚴，保衛世界和平的堅定決心和強大底氣。他還表示，鴻遠電子幾十年來作為國防事業發展的積極參與者，諸多產品已廣泛應用于眾多大國重器中，這離不開每一位鴻遠人的智慧與心血，也是我們的自豪與榮耀！最后，鄭紅董事長特別強調：未來，鴻遠電子將繼續毫無保留地投身國家的國防建設事業，為了民族的復興，國家的強盛，竭盡全力為國家貢獻一切力量。同時，我個人愿在國家需要時，無條件地將屬于自己的一切，全部奉獻給國家。   蘇州會場集中觀看直播 成都會場集中觀看直播 合肥會場集中觀看直播 銘記歷史 揚我國威大會開始前，公司黨總支專門組織全體黨員開展 “銘記歷史 · 揚我國威” 主題學習教育活動，以此深切緬懷為民族獨立與解放英勇獻身的革命先烈。活動中，大家深入回顧抗戰時期艱苦卓絕的奮斗歷程，重溫革命先輩的英雄事跡，深刻感悟初心使命。通過學習，全體黨員從偉大抗戰精神中汲取奮進力量，愛國主義情懷與崗位責任意識進一步增強，凝聚起恪盡職守、奮發作為的擔當共識，更堅定了新時代立足本職、報效國家的堅定決心。 榮譽見證 擔當奮進當我國自主研發的現役主戰裝備駛過天安門，鴻遠人心中熱血沸騰，這是人民軍隊新一代武器裝備的集中亮劍，是祖國國防實力的生動見證。更令人自豪的是，這些捍衛國家主權、彰顯大國底氣的“重器”背后，也都凝結著我們鴻遠人的智慧與汗水！此刻，研發室里的潛心鉆研、生產線上的精益求精、實驗臺前的反復推敲，所有平凡的堅持，都被賦予了更深刻的意義。熒幕前，大家神情專注、心潮澎湃，手中的國旗與臉上的自豪相互映照。這不僅是一次閱兵觀禮，更是一次直抵人心的精神洗禮。大家由衷地表示，要把這一刻的震撼與感動化為奮進的力量，把對祖國的熱愛、對使命的擔當，融入每一次服務保障的堅守中，用我們的方式，繼續守護這份光榮與夢想。 實業報國 奮起新程鴻遠電子自成立之日起，便將實業報國的初心融入血脈。數十年來深耕電子元器件領域，以科技創新賦能發展，我們用日復一日的拼搏，努力踐行著“國家的需要，就是企業的使命”這一堅定信念。八十載風雨兼程，復興之路步履鏗鏘。這場舉世矚目的盛大活動，是對抗戰勝利的隆重致敬，是對革命先烈的深切緬懷，更是對和平發展的莊嚴宣誓。站在新的歷史起點，鴻遠電子將始終與祖國同呼吸、共命運，銘記歷史、開創未來，以更前沿的技術、更可靠的產品，為服務新時代國家戰略、服務國防建設貢獻更多鴻遠力量。 

多層片式瓷介電容器作為電子工業不可或缺的核心基礎元器件，在電子電路中起濾波、耦合、隔直、旁路等關鍵作用。作為適用于高密度微組裝工藝的多層芯片瓷介電容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串聯電阻（ESR）及低等效串聯電感（ESL）等顯著技術優勢，在現代電子系統中扮演著重要的角色，其戰略價值日益突顯。在高可靠性應用領域，如電子對抗、雷達系統、導航制導及衛星通信等關鍵系統中，多層芯片瓷介電容器憑借其卓越性能獲得廣泛應用。在民用及工業應用領域，其應用前景同樣極為廣闊，目前已經廣泛應用于5G通信基礎設施、高速光通信模塊、激光雷達等前沿技術領域。隨著射頻微波通信技術、雷達、電子站、光通信技術、精密測量儀器以及自動駕駛等高端產業的蓬勃發展，現代電子設備對小型化、輕量化、高集成度的追求日趨迫切。特別是在光通信組件集成化與汽車雷達小型化的強勁需求牽引下，市場對超微型多層芯片瓷介電容器的需求日益旺盛。為響應這一行業趨勢，元六鴻遠公司依托技術創新，成功研制出012012尺寸多層芯片瓷介電容器，尺寸代碼012012（0.30mm×0.30mm）。該系列產品在關鍵的產品尺寸與電容量等核心性能指標上實現了突破性進展，有效解決了微型化與高容值兼顧的技術難題。目標在于為新一代高度小型化的通信設備提供性能更優、體積更小、可靠性更高的芯片電容解決方案，為電子信息技術向更微型、更智能的方向持續演進提供有力技術支撐。元六鴻遠多層芯片瓷介電容器產品，自面市以來憑借優異的性能和可靠性，贏得了市場的廣泛認可。為積極響應電子產品日益小型化、高集成化的發展要求，滿足客戶對更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在現有成熟產品015015（0J0J）規格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基礎上，成功開發并推出全新012012（0G0G）規格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多層芯片瓷介電容器。此次推出的012012多層芯片瓷介電容器，其產品體積由015015規格的0.043mm3大幅縮減至0.018mm3，體積降幅高達約58%。該產品的成功研制，進一步拓展了國內外超小型多層芯片瓷介電容器的尺寸范圍，實現了顯著的技術突破，可為國內外客戶提供新的超小尺寸多層芯片瓷介電容器解決方案。以1000pF規格為例，012012多層芯片瓷介電容器相較于原有015015、0202尺寸實物對比如下：元六鴻遠CT41A（MA）系列012012超小型多層芯片瓷介電容器的研發成果，標志著公司在多層芯片瓷介電容器領域達到行業領先水平，超小芯片電容產品工藝平臺日趨成熟，為下游客戶開發更前沿、更精密的電子產品提供了核心元器件支持！