多層片式瓷介電容器作為電子工業不可或缺的核心基礎元器件，在電子電路中起濾波、耦合、隔直、旁路等關鍵作用。作為適用于高密度微組裝工藝的多層芯片瓷介電容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串聯電阻（ESR）及低等效串聯電感（ESL）等顯著技術優勢，在現代電子系統中扮演著重要的角色，其戰略價值日益突顯。

在高可靠性應用領域，如電子對抗、雷達系統、導航制導及衛星通信等關鍵系統中，多層芯片瓷介電容器憑借其卓越性能獲得廣泛應用。在民用及工業應用領域，其應用前景同樣極為廣闊，目前已經廣泛應用于5G通信基礎設施、高速光通信模塊、激光雷達等前沿技術領域。

隨著射頻微波通信技術、雷達、電子站、光通信技術、精密測量儀器以及自動駕駛等高端產業的蓬勃發展，現代電子設備對小型化、輕量化、高集成度的追求日趨迫切。特別是在光通信組件集成化與汽車雷達小型化的強勁需求牽引下，市場對超微型多層芯片瓷介電容器的需求日益旺盛。為響應這一行業趨勢，元六鴻遠公司依托技術創新，成功研制出012012尺寸多層芯片瓷介電容器，尺寸代碼012012（0.30mm×0.30mm）。

該系列產品在關鍵的產品尺寸與電容量等核心性能指標上實現了突破性進展，有效解決了微型化與高容值兼顧的技術難題。目標在于為新一代高度小型化的通信設備提供性能更優、體積更小、可靠性更高的芯片電容解決方案，為電子信息技術向更微型、更智能的方向持續演進提供有力技術支撐。

元六鴻遠多層芯片瓷介電容器產品，自面市以來憑借優異的性能和可靠性，贏得了市場的廣泛認可。為積極響應電子產品日益小型化、高集成化的發展要求，滿足客戶對更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在現有成熟產品015015（0J0J）規格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基礎上，成功開發并推出全新012012（0G0G）規格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多層芯片瓷介電容器。

此次推出的012012多層芯片瓷介電容器，其產品體積由015015規格的0.043mm3大幅縮減至0.018mm3，體積降幅高達約58%。該產品的成功研制，進一步拓展了國內外超小型多層芯片瓷介電容器的尺寸范圍，實現了顯著的技術突破，可為國內外客戶提供新的超小尺寸多層芯片瓷介電容器解決方案。以1000pF規格為例，012012多層芯片瓷介電容器相較于原有015015、0202尺寸實物對比如下：

元六鴻遠CT41A（MA）系列012012超小型多層芯片瓷介電容器的研發成果，標志著公司在多層芯片瓷介電容器領域達到行業領先水平，超小芯片電容產品工藝平臺日趨成熟，為下游客戶開發更前沿、更精密的電子產品提供了核心元器件支持！